Di rangkaian digital, mereka dipakai selaku sakelar. Ada sejumlah besar pabrikan di seluruh dunia yang memproduksi semikonduktor (transistor merupakan anggota dari keluarga perlengkapan ini), jadi ada ribuan jenis yang berbeda.
Ada transistor daya rendah, sedang dan tinggi, untuk berfungsi dengan frekuensi tinggi dan rendah, untuk berfungsi dengan arus sungguh tinggi dan atau tegangan tinggi. Artikel ini menampilkan citra ihwal apa itu transistor, jenis jenis transistor dan fungsinya.
Jenis-jenis Transistor
Transistor merupakan perlengkapan elektronik. Itu dibikin lewat semikonduktor tipe p dan n. Ketika semikonduktor diposisikan di tengah antara semikonduktor tipe yang sama, pengaturan disebut transistor.Kita sanggup menyampaikan bahwa suatu transistor merupakan variasi dari dua dioda yang dihubungkan dari belakang ke belakang. Transistor merupakan perangkat yang mengendalikan anutan arus atau tegangan dan bertindak selaku tombol atau gerbang untuk sinyal elektronik. Transistor berisikan tiga lapisan perangkat semikonduktor, masing-masing bisa menggerakkan arus.
Semikonduktor merupakan materi menyerupai germanium dan silikon yang menghantarkan listrik dengan cara "semi-antusias". Itu ada di mana saja antara konduktor orisinil menyerupai tembaga dan isolator (mirip dengan kabel plastik yang dikemas kira-kira).
Simbol Transistor
Suatu bentuk diagram dari transistor NPN dan transistor PNP terpapar. Di rangkaian merupakan koneksi bentuk yang digunakan. Simbol panah menyeleksi arus emitor. Dalam koneksi transistor NPN kami mengidentifikasi anutan elektron ke emitor.Ini memiliki arti bahwa arus konservatif mengalir keluar dari emitor menyerupai yang ditunjukkan oleh panah keluar. Sama halnya sanggup dilihat bahwa untuk koneksi transistor PNP, arus konservatif mengalir ke emitor menyerupai yang diekspos oleh panah ke dalam pada gambar.
Ada terlalu banyak jenis transistor dan masing-masing memiliki karakteristik yang berbeda-beda dan masing-masing memiliki kelebihan dan kekurangan. Beberapa jenis transistor sebagian besar dipakai untuk berpindah aplikasi. Lainnya sanggup dipakai untuk switching dan amplifikasi.
Transistor lain masih dalam golongan khusus mereka sendiri, menyerupai Photo transistor, yang bereaksi kepada jumlah cahaya yang bersinar padanya untuk menciptakan anutan arus melaluinya. Di bawah ini merupakan daftar banyak sekali jenis jenis transistor; kita akan membahas karakteristik masing-masing transistor;
Bipolar Junction Transistor (BJT)
Transistor Bipolar merupakan transistor yang dibangun dari 3 daerah, base, kolektor, dan emitor. Transistor Bipolar, berlainan dengan transistor FET, merupakan perangkat yang diatur arus. Sebuah arus kecil yang masuk di tempat basis transistor mengakibatkan anutan arus yang jauh lebih besar dari emitor ke tempat kolektor. Transistor persimpangan bipolar tiba dalam dua tipe utama, transistor NPN dan transistor PNP.Transistor NPN merupakan salah satu di mana pembawa arus secara lazim dikuasai merupakan elektron. Elektron yang mengalir dari emitor ke pengumpul membentuk dasar dari secara lazim dikuasai anutan arus lewat transistor. Jenis muatan selanjutnya, hole, merupakan minoritas. Transistor PNP merupakan sebaliknya. Dalam transistor PNP, pembawa arus secara lazim dikuasai merupakan hole (lubang).
Transistor FET
Transistor FET berisikan 3 wilayah, gate, source, dan drain. Berbeda dengan transistor bipolar, transistor FET merupakan perangkat yang diatur tegangan. Tegangan yang diposisikan di gate/gerbang mengontrol anutan arus dari source/sumber ke drain transistor.
Transistor FET memiliki impedansi input yang sungguh tinggi, dari beberapa mega ohm (MΩ) yang tahan kepada nilai yang jauh lebih besar. Input impedansi yang tinggi ini mengakibatkan mereka memiliki arus yang sungguh sedikit melaluinya.
Menurut aturan ohm, arus dipengaruhi secara terbalik oleh nilai impedansi rangkaian. Jika impedans tinggi, arus sungguh rendah. Makara transistor FET sama-sama menawan arus yang sungguh sedikit dari sumber daya rangkaian.
Transistor FET memiliki impedansi input yang sungguh tinggi, dari beberapa mega ohm (MΩ) yang tahan kepada nilai yang jauh lebih besar. Input impedansi yang tinggi ini mengakibatkan mereka memiliki arus yang sungguh sedikit melaluinya.
Menurut aturan ohm, arus dipengaruhi secara terbalik oleh nilai impedansi rangkaian. Jika impedans tinggi, arus sungguh rendah. Makara transistor FET sama-sama menawan arus yang sungguh sedikit dari sumber daya rangkaian.
Dengan demikian, ini ideal alasannya tidak mengusik elemen daya rangkaian orisinil yang terhubung dengannya. Mereka tidak akan mengakibatkan sumber daya dimuat. Kekurangan dari transistor FET merupakan bahwa mereka tidak akan menampilkan amplifikasi yang serupa yang dapat didapat dari transistor bipolar.
Transistor bipolar lebih unggul dalam kenyataan bahwa mereka menampilkan amplifikasi yang lebih besar, walaupun transistor FET lebih baik alasannya mengakibatkan lebih minim pemuatan, lebih murah, dan lebih gampang untuk diproduksi.
Transistor FET berisikan 2 jenis utama: JFET dan MOSFET. JFET dan MOSFET sungguh menyerupai namun MOSFET memiliki nilai input impedansi yang lebih tinggi ketimbang JFET. Hal ini mengakibatkan makin sedikit pemuatan dalam suatu rangkaian.
Transistor bipolar lebih unggul dalam kenyataan bahwa mereka menampilkan amplifikasi yang lebih besar, walaupun transistor FET lebih baik alasannya mengakibatkan lebih minim pemuatan, lebih murah, dan lebih gampang untuk diproduksi.
Transistor FET berisikan 2 jenis utama: JFET dan MOSFET. JFET dan MOSFET sungguh menyerupai namun MOSFET memiliki nilai input impedansi yang lebih tinggi ketimbang JFET. Hal ini mengakibatkan makin sedikit pemuatan dalam suatu rangkaian.
Heterojunction Bipolar Transistor (HBT)
AlgaAs / GaAs Transistor bipolar heterojunction (HBT) dipakai untuk aplikasi microwave digital dan analog dengan frekuensi setinggi Ku band. Transistor HBT sanggup menawarkan kecepatan switching yang lebih singkat ketimbang transistor bipolar silikon utamanya alasannya berkurangnya resistansi dasar dan kapasitansi pengumpul ke substrat.
Pemrosesan transistor HBT memerlukan litografi yang lebih minim ketimbang FET GaAs, oleh alasannya itu, transistor HBT sanggup bermanfaat untuk dibikin dan sanggup menampilkan hasil litografi yang lebih baik.
Pemrosesan transistor HBT memerlukan litografi yang lebih minim ketimbang FET GaAs, oleh alasannya itu, transistor HBT sanggup bermanfaat untuk dibikin dan sanggup menampilkan hasil litografi yang lebih baik.
Teknologi ini juga sanggup menampilkan tegangan breakdown yang lebih tinggi dan pencocokan impedansi broadband yang lebih gampang ketimbang FET GaAs. Dalam analisa dengan transistor bipolar (BJT), transistor HBT menampilkan penyajian yang lebih baik dalam hal efisiensi injeksi emitor, resistansi base, kapasitansi base-emitor, dan frekuensi cut-off.
Mereka juga mendatangkan linearitas yang baik, noise fasa rendah dan efisiensi daya tinggi. Transistor HBT dipakai dalam aplikasi yang menguntungkan dan memiliki keandalan tinggi, menyerupai penguat daya (power amplifier) di telepon seluler dan driver laser.
Mereka juga mendatangkan linearitas yang baik, noise fasa rendah dan efisiensi daya tinggi. Transistor HBT dipakai dalam aplikasi yang menguntungkan dan memiliki keandalan tinggi, menyerupai penguat daya (power amplifier) di telepon seluler dan driver laser.
Transistor Darlington
Transistor Darlington kadang kala disebut selaku "pasangan Darlington" merupakan rangkaian transistor yang yang dibikin dari dua transistor. Sidney Darlington menciptakannya. Ini menyerupai transistor, namun memiliki kesanggupan yang jauh lebih tinggi untuk mendapat arus. Rangkaian sanggup dibikin dari dua transistor diskrit atau sanggup di dalam rangkaian terpadu.
Parameter hfe dengan transistor Darlington merupakan setiap transistor yang dikalikan satu sama lain. Rangkaian ini menolong amplifier audio atau probe yang mengukur arus sungguh kecil yang mengalir lewat air. Ini sungguh sensitif sehingga sanggup mengambil arus di kulit. Jika Anda menghubungkannya ke sepotong logam, Anda sanggup bikin tombol peka sentuhan.
Parameter hfe dengan transistor Darlington merupakan setiap transistor yang dikalikan satu sama lain. Rangkaian ini menolong amplifier audio atau probe yang mengukur arus sungguh kecil yang mengalir lewat air. Ini sungguh sensitif sehingga sanggup mengambil arus di kulit. Jika Anda menghubungkannya ke sepotong logam, Anda sanggup bikin tombol peka sentuhan.
Transistor Schottky
Transistor Schottky merupakan variasi dari transistor dan dioda Schottky yang menangkal transistor bosan dengan mengalihkan arus input ekstrem. Ini juga disebut transistor Schottky-clamped.
Transistor Multi-Emitor
Transistor multi-emitor merupakan seorang andal transistor bipolar yang sering dipakai selaku input transistor transistor logika (TTL) gerbang logika NAND. Sinyal input dipraktekkan ke emitor.
Arus pengumpul berhenti mengalir dengan sederhana, bila semua emitor digerakkan oleh tegangan tinggi logika, sehingga melaksanakan proses logika NAND menggunakan transistor tunggal. Transistor multi-emitor mengambil alih dioda DTL dan oke untuk penghematan waktu switching dan disipasi daya.
Arus pengumpul berhenti mengalir dengan sederhana, bila semua emitor digerakkan oleh tegangan tinggi logika, sehingga melaksanakan proses logika NAND menggunakan transistor tunggal. Transistor multi-emitor mengambil alih dioda DTL dan oke untuk penghematan waktu switching dan disipasi daya.
Gerbang Ganda MOSFET (dual gate MOSFET)
Salah satu bentuk MOSFET yang sungguh terkenal di beberapa aplikasi Radio Frekuensi merupakan MOSFET gerbang ganda. MOSFET gerbang ganda dipakai dalam banyak RF dan aplikasi lain di mana dua gerbang kendali dikehendaki secara seri. Gerbang ganda MOSFET intinya merupakan bentuk MOSFET di mana, dua gerbang dibuat-buat sepanjang channel satu demi satu.
Dengan cara ini, kedua gerbang mempengaruhi tingkat arus yang mengalir antara sumber dan drain. Akibatnya, operasi gerbang ganda MOSFET sanggup dianggap sama dengan dua perangkat MOSFET secara seri.
Kedua gerbang mempengaruhi operasi MOSFET lazim dan oleh alasannya itu hasilnya. MOSFET gerbang ganda sanggup dipakai dalam banyak aplikasi tergolong pencampur / pengali RF, penguat RF, penguat dengan kendali gain dan sejenisnya.
Kedua gerbang mempengaruhi operasi MOSFET lazim dan oleh alasannya itu hasilnya. MOSFET gerbang ganda sanggup dipakai dalam banyak aplikasi tergolong pencampur / pengali RF, penguat RF, penguat dengan kendali gain dan sejenisnya.
Junction FET Transistor
Junction Field Effect Transistor (JUGFET atau JFET) tidak punya PN-junction namun di tempatnya memiliki bab yang sempit dari materi semikonduktor resistivitas tinggi membentuk “Channel” baik tipe-N atau tipe-P silikon untuk pembawa secara lazim dikuasai mengalir lewat dengan dua koneksi listrik ohmik di kedua ujungnya masing-masing lazimnya disebut Drain dan Source.
Ada dua konfigurasi dasar transistor JFET, N-channel JFET dan P-channel JFET. Pada N-channel JFET didoping dengan pengotor donor yang memiliki arti bahwa anutan arus lewat channel merupakan negatif (maka perumpamaan N-channel) dalam bentuk elektron.
Ada dua konfigurasi dasar transistor JFET, N-channel JFET dan P-channel JFET. Pada N-channel JFET didoping dengan pengotor donor yang memiliki arti bahwa anutan arus lewat channel merupakan negatif (maka perumpamaan N-channel) dalam bentuk elektron.
Transistor Avalanche
Transistor avalanche merupakan transistor persimpangan bipolar yang dirancang untuk proses di wilayah karakteristik tegangan kolektor-arus / kolektor-ke-emitor di luar tegangan gangguan kolektor-ke-emitor, yang disebut tempat breakdown avalanche. dan resistansi diferensial negatif.
Operasi di wilayah avalanche breakdown disebut operasi avalanche-mode: ia menampilkan transistor avalanche kesanggupan untuk beralih arus yang sungguh tinggi dengan kurang dari nanosecond naik dan turunnya waktu (waktu transisi).
Operasi di wilayah avalanche breakdown disebut operasi avalanche-mode: ia menampilkan transistor avalanche kesanggupan untuk beralih arus yang sungguh tinggi dengan kurang dari nanosecond naik dan turunnya waktu (waktu transisi).
Transistor yang tidak dirancang khusus untuk tujuan tersebut sanggup memiliki sifat avalanche yang cukup konsisten; umpamanya 82% sampel sakelar 15V berkecepatan tinggi 2N2369, yang dibuat selama 12 tahun periode, bisa menciptakan pulsa avalanche dengan waktu peningkatan 350 ps atau kurang, menggunakan catu daya 90V menyerupai yang ditulis Jim Williams.
Transistor Difusi
Transistor difusi merupakan transistor bipolar (BJT) yang dibikin oleh difusi dopan ke dalam substrat semikonduktor. Proses difusi diimplementasikan lebih lambat dari persimpangan paduan dan proses persimpangan berkembang untuk bikin BJT. Bell Labs membuatkan transistor difusi prototipe pertama pada tahun 1954.
Transistor difusi orisinil merupakan transistor basis-difusi. Transistor ini masih memiliki penghasil alloy dan acap kali pengumpul alloy menyerupai transistor junction sebelumnya. Hanya ganjal yang disebar ke dalam media. Kadang-kadang substrat menciptakan kolektor, namun dalam transistor menyerupai paduan mikro Philco transistor menyebar substrat merupakan bab paling besar dari basis.
Transistor difusi orisinil merupakan transistor basis-difusi. Transistor ini masih memiliki penghasil alloy dan acap kali pengumpul alloy menyerupai transistor junction sebelumnya. Hanya ganjal yang disebar ke dalam media. Kadang-kadang substrat menciptakan kolektor, namun dalam transistor menyerupai paduan mikro Philco transistor menyebar substrat merupakan bab paling besar dari basis.
Aplikasi Transistor
Aplikasi semikonduktor daya yang cocok memerlukan pengertian ihwal peringkat maksimum dan karakteristik listriknya, gunjingan yang dihidangkan dalam lembar data perangkat. Praktik rancangan yang bagus menggunakan batas-batas lembar data dan bukan gunjingan yang diperoleh dari banyak sampel kecil.
Peringkat merupakan nilai maksimum atau minimum yang pastikan batas kesanggupan perangkat. Tindakan yang melampaui peringkat sanggup mengakibatkan degradasi yang tidak sanggup diubah atau kegagalan perangkat. Peringkat maksimum menunjukan kesanggupan ekstrem suatu perangkat. Mereka tidak akan dipakai selaku kondisi desain.
Peringkat merupakan nilai maksimum atau minimum yang pastikan batas kesanggupan perangkat. Tindakan yang melampaui peringkat sanggup mengakibatkan degradasi yang tidak sanggup diubah atau kegagalan perangkat. Peringkat maksimum menunjukan kesanggupan ekstrem suatu perangkat. Mereka tidak akan dipakai selaku kondisi desain.
Karakteristik merupakan ukuran kinerja perangkat dalam kondisi operasi perorangan yang dinyatakan oleh nilai minimum, karakteristik, dan / atau maksimum, atau diungkapkan secara grafis.
Jadi, ini semua ihwal apa itu transistor dan banyak sekali jenis jenis transistor dan fungsinya. Kami harap Anda mendapat pengertian yang lebih baik ihwal konsep ini atau untuk mengimplementasikan proyek listrik dan elektronik.
