Ada banyak sekali jenis dioda yang tersedia di pasaran yang dipakai dalam microwave dan Radio Frekuensi diklasifikasikan ke dalam banyak sekali jenis, yaitu, dioda Varactor, dioda PIN, dioda step recovery, dioda mixer, dioda detektor, dioda Tunnel dan dioda Avalanche perangkat waktu transit menyerupai dioda Impatt, dioda Trapatt dan dioda Baritt.
Dari sini, sudah dimengerti bahwa dioda sanggup menciptakan resistansi negatif pada frekuensi gelombang mikro. Ini diperoleh dengan menggunakan ionisasi gaya pembawa & terbang di kawasan daya medan tinggi dari kawasan semikonduktor yang bias terbalik.
Dari rancangan ini, di sini postingan ini berbincang ikhtisar wacana Perbedaan Antara Dioda Impatt, Dioda Trapatt dan Dioda Baritt.
Perbedaan Antara Dioda Impatt dan Dioda Trapatt dan Dioda Baritt
Perbedaan antara dioda Impatt dan dioda Trapatt dan dioda Baritt dibahas di bawah ini.Dioda IMPATT
Dioda IMPATT yakni salah satu jenis komponen listrik semikonduktor daya tinggi, yang dipakai dalam perangkat elektronik gelombang mikro frekuensi tinggi. Dioda ini tergolong resistansi negatif, yang dipakai selaku Osilator untuk menciptakan penguatan serta gelombang mikro. Dioda IMPATT sanggup beroperasi pada frekuensi antara sekitar 3 GHz & 100 GHz atau lebih.Kelebihan utama dari dioda IMPATT yakni kesanggupan daya tinggi mereka. Aplikasi-aplikasi dari Impact Ionisation Avalanche Transit Time utamanya meliputi metode radar berdaya rendah, alarm kedekatan, dll. Kelemahan utama menggunakan dioda IMPATT yakni tingkat kegaduhan fasa tinggi bila dihasilkan. Ini hasil dari sifat statistik dari proses avalanche.
Struktur dioda IMPATT sama dengan dioda PIN wajar atau garis dasar dioda Schottky tetapi, operasi dan teorinya sungguh berbeda. Dioda menggunakan avalanche breakdown yang disatukan dengan waktu transit pembawa muatan untuk memudahkannya berbincang resistansi negatif kawasan dan kemudian tampil selaku osilator.
Karena sifat avalanche breakdown sungguh bising & sinyal terbuat oleh dioda IMPATT mempunyai tingkat kegaduhan fasa yang tinggi.
Dioda TRAPATT
Istilah dioda TRAPATT yakni abreviasi dari "trapped plasma avalanche triggered transit mode". Ini yakni generator microwave efisiensi tinggi yang dapat beroperasi dari ratusan MHz hingga beberapa GHz.Dioda TRAPATT milik keluarga dasar yang serupa dari dioda IMPATT. Namun, dioda TRAPATT mempunyai sejumlah keunggulan dan juga sejumlah aplikasi.
Pada dasarnya, dioda ini lazimnya dipakai selaku osilator gelombang mikro, tetapi demikian, ia mempunyai keunggulan tingkat efisiensi yang lebih baik, lazimnya efisiensi pergeseran sinyal DC ke RF mungkin berkisar antara 20 hingga 60%.
Biasanya, konstruksi dioda berisikan p+ n n+ yang dipakai untuk tingkat daya tinggi dan konstruksi n+ p p+ lebih baik. Untuk fungsinya, dioda TRAPATT diberi energi menggunakan pulsa arus yang membasmi medan listrik untuk memajukan ke nilai penting di mana terjadi pelipatgandaan avalanche. Pada titik ini bidang gagal di dekatnya alasannya plasma yang dihasilkan.
Partisi dan fatwa holes (lubang) dan elektron digerakkan oleh medan yang sungguh kecil. Itu nyaris menampilkan bahwa mereka sudah 'terperangkap/trapped' di belakang dengan kecepatan yang lebih rendah ketimbang kecepatan kejenuhan. Setelah plasma meningkat di seluruh kawasan aktif, elektron dan lubang mulai terbang ke terminal mundur dan kemudian medan listrik mulai naik lagi.
Prinsip kerja dioda TRAPATT yakni bahwa avalanche/longsoran depan bergerak lebih singkat dari kecepatan saturasi pembawa. Secara umum, ia mengalahkan nilai saturasi dengan aspek sekitar tiga. Mode dioda tidak tergantung pada penundaan fasa injeksi.
Meskipun dioda berbincang tingkat efisiensi yang tinggi ketimbang dioda IMPATT. Kelemahan utama dari dioda TRAPATT yakni tingkat kegaduhan pada sinyal bahkan lebih tinggi dari dioda IMPATT. Stabilitas mesti diakhiri sesuai dengan aplikasi yang diperlukan.
Dioda BARRIT
Singkatan dari dioda BARITT yakni “Barrier Injection Transit Time Diode”, yang menampung banyak perbandingan dengan dioda IMPATT yang lebih biasa digunakan. Dioda ini dipakai dalam pembangkit sinyal microwave menyerupai dioda IMPATT yang lebih biasa dan juga dioda ini sering dipakai dalam alarm pencuri dan di mana ia cuma sanggup menciptakan sinyal microwave sederhana dengan tingkat kegaduhan yang relatif rendah.Dioda ini sungguh menyerupai dengan dioda IMPATT, tetapi perbedaan utama antara kedua dioda ini yakni bahwa dioda BARITT menggunakan emisi termionik ketimbang penggandaan avalanche.
Salah satu keunggulan utama menggunakan emisi jenis ini yakni prosedurnya tidak terlampau berisik. Akibatnya, dioda BARITT tidak mengalami dari tingkat kegaduhan yang serupa menyerupai dioda IMPATT. Pada dasarnya dioda BARITT berisikan dua dioda, yang diposisikan saling membelakangi.
Kapan pun mempunyai potensi dipraktekkan di seluruh perangkat, sebagian besar penurunan mempunyai potensi terjadi di dioda bias terbalik. Jika tegangan kemudian diperbesar hingga ujung area penipisan bertemu, maka terjadi keadaan yang dipahami selaku punch through (meninju).
Perbedaan dioda Impatt dan dioda Trapatt dan dioda Baritt diberikan dalam bentuk Tabel
Properti | Dioda IMPATT | Dioda TRAPATT | Dioda BARITT |
Nama lengkap | Impact Ionisation Avalanche Transit Time | Trapped Plasma Avalanche Triggered Transit | Barrier Injection Transit Time |
Dikembangkan oleh | RL Johnston pada tahun 1965 | HJ Prager pada tahun 1967 | DJ Coleman pada tahun 1971 |
Rentang Frekuensi Operasi | 4GHz hingga 200GHz | 1 hingga 3GHz | 4GHz hingga 8GHz |
Prinsip operasi | Penggandaan avalanche | Avalanche plasma | Emisi termionik |
Output daya | 1Watt CW dan> 400Watt berpulsa | 250 Watt pada 3GHz, 550Watt pada 1GHz | Hanya beberapa miliwatt |
Efisiensi | 3% CW dan 60% berpulsa di bawah 1GHz, lebih efisien dan lebih mempunyai efek ketimbang tipe dioda Gunn dioda Impatt Noise Gambaran: 30dB (lebih buruk dari dioda Gunn) | 35% pada 3GHz dan 60% berpulsa pada 1GHz | 5% (frekuensi rendah), 20% (frekuensi tinggi) |
Gambar Kebisingan | 30dB (lebih buruk dari dioda Gunn) | NF sungguh tinggi dengan urutan sekitar 60dB | NF rendah sekitar 15dB |
Kelebihan | · Microwave dioda ini mempunyai kesanggupan daya tinggi dibandingkan dengan dioda lainnya. · Output sanggup diandalkan dibandingkan dengan dioda lainnya | · Efisiensi lebih tinggi dari dioda Impatt · Disipasi daya yang sungguh rendah | · Kurang berisik ketimbang dioda impatt · NF 15dB pada pita C menggunakan penguat dioda Baritt |
Kekurangan | · Angka kegaduhan tinggi · Arus operasi tinggi · Kebisingan AM / FM artifisial tinggi | · Tidak cocok untuk operasi CW alasannya kepadatan daya tinggi · NF tinggi sekitar 60dB · Frekuensi atas dibatasi hingga di bawah grup band milimeter | · Bandwidth sempit · Terbatas beberapa mWatt output daya |
Aplikasi | · Osilator Impatt yang dikendalikan tegangan · Sistem radar daya rendah · Injeksi amplifier yang terkunci · Rongga stabil osilator dioda impatt | · Digunakan dalam suar microwave · Sistem pendaratan instrumen • LO di radar | · Mixer · Osilator · Penguat sinyal kecil |
